No guia anterior da série, prometemos: o MOSFET merecia um capítulo só dele. Cumprindo — porque nenhum componente é tão presente nas linhas de potência das placas modernas e, ao mesmo tempo, tão traiçoeiro de testar. O MOSFET tem um truque (o gate que guarda carga) que faz iniciante condenar componente bom e absolver componente ruim todos os dias. Neste guia você aprende o teste completo com o multímetro, os vereditos claros e o porquê de cada passo.
O que é um MOSFET (em 1 minuto)
Pense numa chave elétrica controlada por tensão: aplicou tensão no pino de controle (gate), a chave fecha e a corrente flui entre dreno (drain) e fonte (source). Tirou a tensão, a chave abre. Diferente do transistor bipolar (controlado por corrente), o gate do MOSFET é isolado — não consome corrente, só “sente” tensão. É essa eficiência que o colocou em todo lugar:
- Nas placas de notebook: os pares de MOSFETs dos reguladores (VRM) que criam as tensões do processador, os MOSFETs de entrada que deixam passar a tensão do carregador, o controle de carga da bateria;
- Em fontes chaveadas, ferramentas, inversores — qualquer lugar onde se liga e desliga potência milhares de vezes por segundo;
- Os dois sabores: canal N (o comum — liga com gate positivo em relação ao source) e canal P (o espelho — liga com gate negativo). Nas placas, o canal N domina.
Identificando os Pinos (Antes de Qualquer Teste)
Teste com pinagem errada = veredito errado. Nos encapsulamentos mais comuns:
- SOT-23 (3 pinos, pequeno): olhando de frente com os 2 pinos para baixo — pino 1 (embaixo, esquerda) = gate, pino 2 (embaixo, direita) = source, pino 3 (sozinho em cima) = dreno;
- SO-8 / PowerPAK (8 pinos, quadrado): em geral pinos 1–3 = source, pino 4 = gate, pinos 5–8 (e a barriga metálica) = dreno;
- Na dúvida: pesquise o código impresso no corpo + “datasheet” — dois minutos que salvam o diagnóstico.
O Teste Completo, Passo a Passo (Canal N)
Multímetro na escala de diodo, placa desenergizada — e de preferência com o MOSFET fora da placa ou com a linha isolada (em circuito, os vizinhos mentem):
- Descarregue o gate: encoste a ponta do multímetro (ou uma pinça metálica) entre gate e source por um segundo. Sem isso, um gate carregado de testes anteriores dá leitura fantasma;
- Diodo intrínseco (o “detector de vida”): ponta preta no dreno, vermelha no source → deve mostrar 0,4–0,8 V (todo MOSFET tem um diodo interno entre S e D — é ele que você está vendo). Invertendo (vermelha no dreno): OL;
- Gate isolado: entre gate e source, e entre gate e dreno → OL nos dois sentidos. Qualquer leitura baixa aqui = gate furado = MOSFET condenado (defeito comum quando a placa levou surto);
- O teste da chave (a prova dos nove): toque a ponta vermelha no gate por um instante (a tensão do próprio multímetro carrega o gate) → agora meça dreno-source: a leitura despenca para perto de 0,000 — a chave fechou! Descarregue o gate (passo 1) → dreno-source volta a mostrar só o diodo. Fechou e abriu = MOSFET funcional.
Para canal P, é o espelho: diodo intrínseco com vermelha no dreno, e a chave carrega tocando a ponta preta no gate.
A Tabela dos Vereditos
| Medição | Bom | Condenado |
| Dreno–Source (preta no D) | 0,4–0,8 V (diodo) | 0,000 = curto D-S (o defeito nº 1) |
| Dreno–Source (vermelha no D) | OL (gate descarregado) | 0,000 = curto |
| Gate–Source / Gate–Dreno | OL nos dois sentidos | qualquer leitura = gate furado |
| Teste da chave | fecha com gate carregado, abre ao descarregar | não fecha = aberto/degradado · não abre = fuga no gate |
Os Erros Clássicos
- Esquecer de descarregar o gate e ler “curto” D-S num MOSFET bom que ficou ligado do teste anterior — o falso positivo mais cometido do reparo;
- Testar em circuito e condenar: bobinas e resistores baixos em paralelo derrubam a leitura D-S. Em circuito o MOSFET só pode ser suspeito; a condenação é fora da placa (ou com source levantado);
- Ignorar o aquecimento: MOSFET em curto morto é fácil; MOSFET com fuga esquenta em operação e some no teste frio — a técnica da caça ao curto (fonte com limite + dedo/térmica) pega esses;
- Trocar por “qualquer um parecido”: tensão máxima (VDS), corrente e resistência de condução (RDS(on)) precisam ser compatíveis — substituto errado funciona uma semana e volta em curto.
Perguntas que Sempre Aparecem
Por que MOSFET queima tanto em curto D-S? Ele é a primeira barreira da potência: surto do carregador, pico da bateria, curto adiante — quem segura o tranco é ele. Morrer em curto é o modo de falha natural do MOSFET, e por isso um curto na linha principal começa a investigação pelos MOSFETs de entrada.
MOSFET bom esquentando é normal? Morno, sim; quente de não encostar, não — ou está com RDS(on) degradado, ou o gate está recebendo acionamento fraco (defeito no driver/PWM, não nele).
E os MOSFETs duplos (2 no mesmo corpo)? Muito comuns em SO-8 (um par N+N ou N+P para controle de carga): teste cada metade como um MOSFET independente — o datasheet mostra qual pino é de qual.
Conclusão
O MOSFET deixa de ser traiçoeiro quando você respeita o ritual: pinagem confirmada, gate descarregado, diodo intrínseco, gate isolado, teste da chave. Com a tabela de vereditos deste guia e a regra de ouro do teste fora do circuito, você condena com prova — e para de trocar componente bom. No próximo capítulo da série: os capacitores, incluindo o defeito invisível que engana até multímetro bom.
As ferramentas deste guia
Para testar e substituir MOSFETs com segurança:
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Veja também: como testar resistores, diodos e transistores, a caça ao curto e a sequência de energização.
